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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / NGTB30N65IHL2WG
- 价格 起订量
- ￥ 40.72831 1+
- ￥ 38.42293 10+
- ￥ 36.24805 100+
- ￥ 34.19627 500+
- ￥ 32.26063 1000+
- 型号： NGTB30N65IHL2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 36
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 40.72831
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.6V
- Test Conditions：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2014
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：300W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：300W
- 集电极发射器电压(VCEO)：650V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：430 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V, 30A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：135nC
- 集极脉冲电流（Icm）：120A
- Td（开/关）@25°C：-/145ns
- 开关能量：200μJ (off)
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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