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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / HGTG30N60B3D
- 价格 起订量
- ￥ 44.52244 1+
- ￥ 42.00230 10+
- ￥ 39.62481 100+
- ￥ 37.38190 500+
- ￥ 35.26594 1000+
- 型号： HGTG30N60B3D
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 600V 60A 208W TO247
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 44.52244
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.45V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：480V, 30A, 3 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：137 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：低导通损耗
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：600V
- 最大功率耗散：208W
- 额定电流：60A
- 基本部件号：HGTG30N60
- 元素配置：Single
- 功率耗散：208W
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：36 ns
- 晶体管应用：电源控制
- 上升时间：25ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：55 ns
- 接通时间：56 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V, 30A
- 关断时间-标准值（toff)：365 ns
- 闸门收费：170nC
- 集极脉冲电流（Icm）：220A
- Td（开/关）@25°C：36ns/137ns
- 开关能量：550μJ (on), 680μJ (off)
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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