简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / FGH40T120SMD-F155
- 价格 起订量
- ￥ 65.10618 1+
- ￥ 61.42092 10+
- ￥ 57.94427 100+
- ￥ 54.66440 500+
- ￥ 51.57019 1000+
- 型号： FGH40T120SMD-F155
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 2
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 65.10618
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Test Conditions：600V, 40A, 10 Ω, 15V
- Turn Off Delay Time：475 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2013
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：555W
- 元素配置：Single
- 功率耗散：555W
- 输入类型：Standard
- 接通延迟时间：40 ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2kV
- 最大集电极电流：80A
- 反向恢复时间：65 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 40A
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 连续集电极电流：80A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：370nC
- 集极脉冲电流（Icm）：160A
- Td（开/关）@25°C：40ns/475ns
- 开关能量：2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：25V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7.5V
- 高度：24.75mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor
FGY40T120SMD ON Semiconductor
IRG7PH42U-EP Infineon Technologies
IRG8P40N120KDPBF Infineon Technologies- IRG8P50N120KD-EPBF Infineon Technologies
