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单片IGBT晶体管 / IKW75N65ES5XKSA1
- 价格 起订量
- ¥ 41.22422 1+
- ¥ 38.89078 10+
- ¥ 36.68941 100+
- ¥ 34.61265 500+
- ¥ 32.65345 1000+
- 型号: IKW75N65ES5XKSA1
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247
- 库存地点: 内地
- 库存: 7440
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 41.22422
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:650V
- Number of Elements:1
- Test Conditions:400V, 75A, 18 Ω, 15V
- 操作温度:-40°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:TrenchStop™
- 已出版:2006
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 最大功率耗散:395W
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 元素配置:Single
- 箱体转运:COLLECTOR
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:395W
- 晶体管应用:电源控制
- 无卤素:无卤素
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):650V
- 最大集电极电流:80A
- 反向恢复时间:85 ns
- 接通时间:94 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V, 75A
- 关断时间-标准值(toff):233 ns
- IGBT类型:Trench
- 闸门收费:164nC
- 集极脉冲电流(Icm):300A
- Td(开/关)@25°C:40ns/144ns
- 开关能量:2.4mJ (on), 950μJ (off)
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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