简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / HGTP3N60A4D
- 价格 起订量
- ￥ 11.39877 1+
- ￥ 10.75356 10+
- ￥ 10.14486 100+
- ￥ 9.57063 500+
- ￥ 9.02889 1000+
- 型号： HGTP3N60A4D
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 22830
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.39877
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：36 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：390V, 3A, 50 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 附加功能：低导通损耗
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：600V
- 最大功率耗散：70W
- 额定电流：17A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：70W
- 箱体转运：COLLECTOR
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：电源控制
- 上升时间：11ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：17A
- 反向恢复时间：19 ns
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 接通时间：17.5 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V, 3A
- 关断时间-标准值（toff)：180 ns
- 闸门收费：21nC
- 集极脉冲电流（Icm）：40A
- Td（开/关）@25°C：6ns/73ns
- 开关能量：37μJ (on), 25μJ (off)
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
HGTP3N60A4D ON Semiconductor- SGP10N60RUFDTU ON Semiconductor
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor- FGPF10N60UNDF ON Semiconductor
STGF19NC60KD STMicroelectronics
