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图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / SGP10N60RUFDTU
- 价格 起订量
- ￥ 21.78552 1+
- ￥ 20.55238 10+
- ￥ 19.38904 100+
- ￥ 18.29154 500+
- ￥ 17.25617 1000+
- 型号： SGP10N60RUFDTU
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： IGBT Transistors Dis Short Circuit Rated IGBT
- 库存地点： 内地
- 库存： 4000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.78552
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 质量：1.8g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.2V
- Number of Elements：1
- Test Conditions：300V, 10A, 20 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：600V
- 最大功率耗散：208W
- 额定电流：10A
- 基本部件号：SG*10N60
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 元素配置：Single
- 功率耗散：75W
- 输入类型：Standard
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：16A
- 反向恢复时间：42 ns
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 最大击穿电压：600V
- 接通时间：49 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V, 10A
- 关断时间-标准值（toff)：284 ns
- 闸门收费：30nC
- 集极脉冲电流（Icm）：30A
- Td（开/关）@25°C：15ns/36ns
- 开关能量：141μJ (on), 215μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：8V
- 最大下降时间 (tf)：220ns
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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