图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / STGF19NC60KD
- 价格 起订量
- ¥ 26.85878 1+
- ¥ 25.33848 10+
- ¥ 23.90422 100+
- ¥ 22.55115 500+
- ¥ 21.27467 1000+
- 型号: STGF19NC60KD
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: IGBT 600V 16A 32W TO220FP
- 库存地点: 内地
- 库存: 1
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 26.85878
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
- Number of Elements:1
- Test Conditions:480V, 12A, 10 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:PowerMESH™
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:32W
- 基本部件号:STGF19
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 功率耗散:32W
- 箱体转运:ISOLATED
- 输入类型:Standard
- 晶体管应用:电源控制
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):600V
- 最大集电极电流:16A
- 反向恢复时间:31 ns
- JEDEC-95代码:TO-220AB
- 接通时间:38 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V, 12A
- 关断时间-标准值(toff):270 ns
- 闸门收费:55nC
- 集极脉冲电流(Icm):75A
- Td(开/关)@25°C:30ns/105ns
- 开关能量:165μJ (on), 255μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值:20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值:6.5V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STGF19NC60KD STMicroelectronics
FGPF10N60UNDF ON Semiconductor
IRG4IBC20UDPBF Infineon Technologies
IRG4IBC20FDPBF Infineon Technologies
IRG4BC10SDPBF Infineon Technologies

