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单片IGBT晶体管 / STGF19NC60KD

  • 价格 起订量
  • ¥ 26.85878 1+
  • ¥ 25.33848 10+
  • ¥ 23.90422 100+
  • ¥ 22.55115 500+
  • ¥ 21.27467 1000+
  • 型号: STGF19NC60KD
  • 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
  • 类别: 单片IGBT晶体管
  • 封装: TO-220-3 Full Pack
  • 描述: IGBT 600V 16A 32W TO220FP
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 1
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 26.85878

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:8 Weeks
  • 底架:通孔
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
  • 引脚数:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
  • Number of Elements:1
  • Test Conditions:480V, 12A, 10 Ω, 15V
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tube
  • 系列:PowerMESH™
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 终止次数:3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 最大功率耗散:32W
  • 基本部件号:STGF19
  • 引脚数量:3
  • 元素配置:Single
  • 功率耗散:32W
  • 箱体转运:ISOLATED
  • 输入类型:Standard
  • 晶体管应用:电源控制
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 集电极发射器电压(VCEO):600V
  • 最大集电极电流:16A
  • 反向恢复时间:31 ns
  • JEDEC-95代码:TO-220AB
  • 接通时间:38 ns
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V, 12A
  • 关断时间-标准值(toff):270 ns
  • 闸门收费:55nC
  • 集极脉冲电流(Icm):75A
  • Td(开/关)@25°C:30ns/105ns
  • 开关能量:165μJ (on), 255μJ (off)
  • 栅极-发射极电压-最大值:20V
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值:6.5V
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant

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