图片经供参考,以实物为准

单片IGBT晶体管 / SGP13N60UFDTU
- 价格 起订量
- ¥ 11.19253 1+
- ¥ 10.55899 10+
- ¥ 9.96131 100+
- ¥ 9.39747 500+
- ¥ 8.86553 1000+
- 型号: SGP13N60UFDTU
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Rail
- 库存地点: 内地
- 库存: 7760
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 11.19253
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3
- 质量:1.8g
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2.1V
- Number of Elements:1
- Test Conditions:300V, 6.5A, 50 Ω, 15V
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tube
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:哑光锡
- 附加功能:LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
- HTS代码:8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流:600V
- 最大功率耗散:60W
- 额定电流:6.5A
- 基本部件号:SG*13N60
- JESD-30代码:R-PSFM-T3
- 元素配置:Single
- 功率耗散:60W
- 输入类型:Standard
- 晶体管应用:MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):600V
- 最大集电极电流:13A
- 反向恢复时间:37 ns
- JEDEC-95代码:TO-220AB
- 接通时间:62 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V, 6.5A
- 关断时间-标准值(toff):253 ns
- 闸门收费:25nC
- 集极脉冲电流(Icm):52A
- Td(开/关)@25°C:20ns/70ns
- 开关能量:85μJ (on), 95μJ (off)
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
SGP13N60UFDTU ON Semiconductor
STGF14NC60KD STMicroelectronics
HGTP7N60B3D ON Semiconductor
SGS13N60UFDTU ON Semiconductor
IRG4IBC20UDPBF Infineon Technologies

