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单片IGBT晶体管 / NGTB40N60FL2WG
- 价格 起订量
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- 型号： NGTB40N60FL2WG
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
- 库存地点： 内地
- 库存： 25
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：38.000013g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：600V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.85V
- Test Conditions：400V, 40A, 10 Ω, 15V
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：366W
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：366W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600V
- 最大集电极电流：80A
- 反向恢复时间：72 ns
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 40A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：170nC
- 集极脉冲电流（Icm）：160A
- Td（开/关）@25°C：84ns/177ns
- 开关能量：970μJ (on), 440μJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5V
- 高度：21.08mm
- 长度：16.26mm
- 宽度：5.3mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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