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单片IGBT晶体管 / IRG8P60N120KD-EPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRG8P60N120KD-EPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD
- 库存地点： 内地
- 库存： 1
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 质量：6.500007g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.7V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100A
- Test Conditions：600V, 40A, 5 Ω, 15V
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2014
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：420W
- Reach合规守则：unknown
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 集电极发射器电压(VCEO)：2V
- 最大集电极电流：60A
- 反向恢复时间：210 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V, 40A
- 闸门收费：345nC
- 集极脉冲电流（Icm）：120A
- Td（开/关）@25°C：40ns/240ns
- 开关能量：2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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