简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / IRG7PH50K10DPBF
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IRG7PH50K10DPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.4V
- Test Conditions：600V, 35A, 5 Ω, 15V
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2000
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：400W
- 上升时间-最大值：80ns
- 元素配置：Single
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：400W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：2.4V
- 最大集电极电流：90A
- 反向恢复时间：130 ns
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 35A
- 闸门收费：300nC
- 集极脉冲电流（Icm）：160A
- Td（开/关）@25°C：90ns/340ns
- 开关能量：2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：7.5V
- 最大下降时间 (tf)：110ns
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRG7PH50K10DPBF Infineon Technologies
NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor
IRG7PH42U-EP Infineon Technologies- IRG7PH44K10DPBF Infineon Technologies
- IRG7PH44K10D-EPBF Infineon Technologies
