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单片IGBT晶体管 / IRGP4263PBF
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IRGP4263PBF
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单片IGBT晶体管
- 封装: TO-247-3
- 描述: IGBT 650V 90A 300W TO-247
- 库存地点: 内地
- 库存: 2760
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:14 Weeks
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-247-3
- 引脚数:3
- 质量:38.000013g
- Test Conditions:400V, 48A, 10 Ω, 15V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.7V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:650V
- 操作温度:-40°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 已出版:2012
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 最大功率耗散:300W
- 上升时间-最大值:80ns
- 元素配置:Single
- 输入类型:Standard
- 功率 - 最大:300W
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO):2.1V
- 最大集电极电流:90A
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V, 48A
- 闸门收费:150nC
- 集极脉冲电流(Icm):192A
- Td(开/关)@25°C:70ns/140ns
- 开关能量:1.7mJ (on), 1mJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值:20V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值:7.7V
- 最大下降时间 (tf):50ns
- 高度:21.1mm
- 长度:16.13mm
- 宽度:5.2mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
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