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图片经供参考，以实物为准
JFETs 晶体管 / MMBFJ108
- 价格 起订量
- ￥ 4.76419 1+
- ￥ 4.49452 10+
- ￥ 4.24012 100+
- ￥ 4.00011 500+
- ￥ 3.77369 1000+
- 型号： MMBFJ108
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ108 N CHANNEL JFET, -25V, SUPERSOT-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.76419
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：24 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Breakdown Voltage / V：-25V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电压 - 额定直流：25V
- 最大功率耗散：350mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：80mA
- 基本部件号：MBFJ108
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：350mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 连续放电电流(ID)：80mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-25V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 漏源电阻：8Ohm
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：80mA @ 15V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3V @ 10nA
- 电阻-RDS(On)：8Ohm
- 高度：1.22mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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