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JFETs 晶体管 / 2N5115E3
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5115E3
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- 描述： JFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 80
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：TO-18 (TO-206AA)
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Product Status：活跃
- Package：Bulk
- 厂商：微芯片技术
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：30 V
- Pd - Power Dissipation：500 mW
- Transistor Polarity：P-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Drain-Source Current at Vgs=0：- 15 mA to - 60 mA
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Rds On - Drain-Source Resistance：100 Ohms
- Maximum Drain Gate Voltage：30 V
- RoHS：Details
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage：30 V
- Gate-Source Cutoff Voltage：3 V to 6 V
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：2N5115E3
- Package Shape：ROUND
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.07
- Part Package Code：BCY
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- 包装：Bulk
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- HTS代码：8541.21.00.95
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率 - 最大：500 mW
- 场效应管类型：P-Channel
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：25pF @ 15V
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 产品类别：JFETs
- JEDEC-95代码：TO-206AA
- 漏极-源极导通最大电阻：100 Ω
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 反馈上限-最大值 (Crss)：7 pF
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：15 mA @ 15 V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：30 V
- 电阻-RDS(On)：100 Ohms
- 产品类别：JFET
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