图片经供参考,以实物为准

RF MOSFETs 晶体管 / MMBFJ309
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: MMBFJ309
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: RF MOSFETs 晶体管
- 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ309 N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23
- 库存地点: 内地
- 库存: 3000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 14 hours ago)
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 底架:表面贴装
- 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数:3
- 质量:30mg
- Breakdown Voltage / V:25V
- Number of Elements:1
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2008
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- HTS代码:8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流:25V
- 最大功率耗散:350mW
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 额定电流:30mA
- 频率:450MHz
- 基本部件号:MMBFJ309
- 元素配置:Single
- 操作模式:DEPLETION MODE
- 功率耗散:350mW
- 测试电流:10mA
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 漏源电压 (Vdss):25V
- 晶体管类型:N-Channel JFET
- 连续放电电流(ID):30mA
- 栅极至源极电压(Vgs):-25V
- 增益:12dB
- 场效应管技术:JUNCTION
- 噪声图:3dB
- 电压-测试:10V
- 反馈上限-最大值 (Crss):2.5 pF
- 高度:930μm
- 长度:2.92mm
- 宽度:1.3mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
MMBFJ309 ON Semiconductor
MMBF5434 ON Semiconductor
MMBF5457 ON Semiconductor
MMBF5459 ON Semiconductor
PMBFJ110,215 NXP USA Inc.

