简体中文
图片经供参考，以实物为准
JFETs 晶体管 / 2N5639
- 价格 起订量
- ￥ 3.21540 1+
- ￥ 3.03340 10+
- ￥ 2.86170 100+
- ￥ 2.69971 500+
- ￥ 2.54690 1000+
- 型号： 2N5639
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： JFET N-CH 35V 0.31W TO92
- 库存地点： 内地
- 库存： 26213
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.21540
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 质量：201mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Breakdown Voltage / V：-30V
- Number of Elements：1
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：310mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：10mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：2N5639
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率耗散：625mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：10pF @ 12V VGS
- 连续放电电流(ID)：25mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：-30V
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 漏源电阻：60Ohm
- 反馈上限-最大值 (Crss)：4 pF
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：25mA @ 20V
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：35V
- 电阻-RDS(On)：60Ohm
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
2N5639 ON Semiconductor
2N5639RLRAG ON Semiconductor- J112-D26Z ON Semiconductor
- 2N5639G ON Semiconductor
- 2N5638RLRA ON Semiconductor
