简体中文
图片经供参考，以实物为准
JFETs 晶体管 / BF510
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BF510
- 厂商： NXP(恩智浦)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： RF MOSFET N-CHANNEL JFET 20V 100
- 库存地点： 内地
- 库存： 36000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：TO-236AB
- Package：Bulk
- 厂商：Suntsu Electronics, Inc.
- Product Status：活跃
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BF510
- Manufacturer：Philips Semiconductors
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：飞利浦半导体
- Risk Rank：5.57
- 操作温度：-10°C ~ 70°C
- 系列：SXT224
- 尺寸/尺寸：0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
- JESD-609代码：e3
- 类型：兆赫晶体
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 子类别：其他晶体管
- Reach合规守则：unknown
- 频率：30 MHz
- 频率稳定性：±25ppm
- ESR（等效串联电阻）：60 Ohms
- 负载电容：18pF
- 操作模式：Fundamental
- 频率容差：±15ppm
- 功率 - 最大：250 mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5pF @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最大耗散功率(Abs)：0.25 W
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：3 mA @ 10 V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 µA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：20 V
- 最大漏极电流（Id）：30 mA
- 座位高度(最大)：0.026 (0.65mm)
相关产品
