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JFETs 晶体管 / 2N5639G
- 价格 起订量
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- 型号： 2N5639G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： JFETs 晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： JFET N-CH 35V 0.31W TO92
- 库存地点： 内地
- 库存： 613
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：310mW
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：10mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：2N5639
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率 - 最大：310mW
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：10pF @ 12V VGS
- 栅极至源极电压(Vgs)：35V
- 漏极-源极导通最大电阻：60Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 反馈上限-最大值 (Crss)：4 pF
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：25mA @ 20V
- 电阻-RDS(On)：60Ohm
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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