单MOSFET晶体管 / RS3L110ATTB1

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型号： RS3L110ATTB1
厂商： ROHM Semiconductor
类别：单MOSFET晶体管
封装： 24-WFQFN Exposed Pad
描述： Power MOSFET,P Channel, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Surface Mount
库存地点：内地
库存： 10000
货期： 1 - 3 个工作日

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：表面贴装
包装/外壳：24-WFQFN Exposed Pad
供应商器件包装：24-VFQFPN (4x4)
Package：Tape & Reel (TR)
厂商：Renesas Electronics America Inc
Product Status：Obsolete
Frequency-Max：200MHz, 325MHz
Qualification：-
Continuous Drain Current Id：11A
Number of Elements per Chip：1
Package Type：SOP
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：60 V
Typical Turn-On Delay Time：22 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1 V
Pd - Power Dissipation：2 W
Transistor Polarity：P-Channel
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
Unit Weight：0.002926 oz
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
Mounting Styles：SMD/SMT
Channel Mode：Enhancement
Manufacturer：ROHM 半导体
Brand：ROHM 半导体
Qg - Gate Charge：115 nC
Rds On - Drain-Source Resistance：12.8 mOhms
RoHS：Details
Typical Turn-Off Delay Time：315 ns
Id - Continuous Drain Current：11 A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)：1.4W (Ta)
操作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
系列：PhiClock™
包装：切割胶带
类型：时钟发生器
子类别：MOSFETs
技术：Si
电压 - 供电：1.71V ~ 1.89V, 2.375V ~ 2.625V, 3.135V ~ 3.465V
输出量：CML, HCSL, LP-HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL
引脚数量：8
配置：Single
通道数量：1 Channel
电路数量：1
功率耗散：2W
场效应管类型：P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs：12.8mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6300 pF @ 30 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：115 nC @ 10 V
上升时间：66 ns
漏源电压 (Vdss)：60 V
Vgs（最大值）：±20V
输入：HCSL, LVCMOS, LVDS, Crystal
产品类别：MOSFET
晶体管类型：1 P - Channel
比率-输入：输出：1:6
锁相环：有
差分 - 输入：输出：No/Yes
信道型：P Channel
除法器/乘法器：Yes/No
场效应管特性：-
产品类别：MOSFET