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单MOSFET晶体管 / IQE046N08LM5CGSCATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： IQE046N08LM5CGSCATMA1
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 0805 (2012 Metric)
- 描述： OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
- 库存地点： 内地
- 库存： 18050
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：0805 (2012 Metric)
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：0805
- Package：Tape & Reel (TR)
- 厂商：Vishay Sfernice
- Product Status：活跃
- Base Product Number：IQE046
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15.6A (Ta), 99A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta), 100W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：80 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.3 V
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Id - Continuous Drain Current：99 A
- 操作温度：-55°C ~ 155°C
- 系列：P
- 尺寸/尺寸：0.075 L x 0.050 W (1.91mm x 1.27mm)
- 容差：±0.1%
- 终止次数：2
- 温度系数：±25ppm/°C
- 电阻：10 kOhms
- 组成：Thin Film
- 功率(瓦特)：0.2W, 1/5W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 失败率：-
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.6mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 47µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3250 pF @ 40 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：38 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：80 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
- 特征：Anti-Sulfur, Moisture Resistant
- 座位高度(最大)：0.025 (0.63mm)
- 评级结果：-
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