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单MOSFET晶体管 / G700P06H
- 价格 起订量
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- 型号： G700P06H
- 厂商： GOFORD(谷峰)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 0505 (1313 Metric)
- 描述： P-60V,-5A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-1
- 库存地点： 内地
- 库存： 18029
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：0505 (1313 Metric)
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：0505
- Package：Tray
- Base Product Number：M55342
- 厂商：Vishay Dale 薄膜
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：3.1W (Tc)
- 操作温度：-55°C ~ 150°C
- 系列：Military, MIL-PRF-55342, RM0505
- 尺寸/尺寸：0.055 L x 0.050 W (1.40mm x 1.27mm)
- 容差：±0.1%
- 终止次数：2
- 温度系数：±25ppm/°C
- 电阻：2.29 kOhms
- 组成：Thin Film
- 功率(瓦特)：0.125W, 1/8W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 失败率：R (0.01%)
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：75mOhm @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1459 pF @ 30 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15.8 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
- 特征：Military, Non-Inductive
- 座位高度(最大)：0.033 (0.84mm)
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