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单MOSFET晶体管 / CSD16342Q5AT
- 价格 起订量
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- 型号： CSD16342Q5AT
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： Wide 1206 (3216 Metric), 0612
- 描述： PROTOTYPE
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Wide 1206 (3216 Metric), 0612
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：0612
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- 厂商：Stackpole Electronics Inc
- Product Status：活跃
- Base Product Number：CSD16342
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V, 8V
- Power Dissipation (Max)：3W (Ta)
- 操作温度：-55°C ~ 170°C
- 系列：CSRF
- 尺寸/尺寸：0.063 L x 0.126 W (1.60mm x 3.20mm)
- 容差：±1%
- 终止次数：2
- 温度系数：±75ppm/°C
- 电阻：10 mOhms
- 组成：金属箔
- 功率(瓦特)：1W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 失败率：-
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7mOhm @ 20A, 8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1350 pF @ 12.5 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7.1 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：25 V
- Vgs（最大值）：+10V, -8V
- 场效应管特性：-
- 特征：Current Sense, Moisture Resistant
- 座位高度(最大)：0.031 (0.80mm)
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