单MOSFET晶体管 / IPB020N10N5

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型号： IPB020N10N5
厂商： Infineon(英飞凌)
类别：单MOSFET晶体管
封装： TO-263-3
描述： MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
库存地点：内地
库存： 30000
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：TO-263-3
表面安装：YES
终端数量：2
晶体管元件材料：SILICON
Package：零售包装
厂商：Glenair
Product Status：活跃
Typical Turn-On Delay Time：33 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
Brand：Infineon Technologies
Qg - Gate Charge：210 nC
Tradename：OptiMOS
Rds On - Drain-Source Resistance：1.7 mOhms
RoHS：Details
Typical Turn-Off Delay Time：77 ns
Id - Continuous Drain Current：120 A
Channel Mode：Enhancement
Forward Transconductance - Min：124 S
Mounting Styles：SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1000
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Unit Weight：0.139332 oz
Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
Maximum Operating Temperature：+ 175 C
Transistor Polarity：N-Channel
Pd - Power Dissipation：375 W
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.2 V
Part # Aliases：SP001132558 IPB020N10N5ATMA1
Manufacturer：Infineon
Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style：小概要
Moisture Sensitivity Levels：1
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：IPB020N10N5
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Samacsys Description：MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank：2.24
Drain Current-Max (ID)：120 A
系列：*
包装：MouseReel
JESD-609代码：e3
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：Tin (Sn)
子类别：MOSFETs
技术：Si
端子位置：SINGLE
终端形式：鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：not_compliant
JESD-30代码：R-PSSO-G2
配置：Single
通道数量：1 Channel
操作模式：增强型MOSFET
箱体转运：DRAIN
晶体管应用：SWITCHING
上升时间：26 ns
极性/通道类型：N-CHANNEL
产品类别：MOSFET
晶体管类型：1 N-Channel
JEDEC-95代码：TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻：0.002 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)：480 A
DS 击穿电压-最小值：100 V
雪崩能量等级（Eas）：979 mJ
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
产品类别：MOSFET
长度：10 mm
高度：4.4 mm
宽度：9.25 mm