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单MOSFET晶体管 / DMTH10H032LPSWQ-13
- 价格 起订量
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- ￥ 5.41431 10+
- ￥ 5.10784 100+
- ￥ 4.81872 500+
- ￥ 4.54596 1000+
- 型号： DMTH10H032LPSWQ-13
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
- 库存地点： 内地
- 库存： 1584
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.73917
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 供应商器件包装：PowerDI5060-8 (Type UX)
- Package：Bulk
- 厂商：Suntsu Electronics, Inc.
- Product Status：活跃
- Base Product Number：DMTH10
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：3.4W (Ta), 68W (Tc)
- 操作温度：-10°C ~ 60°C
- 系列：SXT324
- 尺寸/尺寸：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
- 类型：兆赫晶体
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 频率：50 MHz
- 频率稳定性：±25ppm
- ESR（等效串联电阻）：35 Ohms
- 负载电容：18pF
- 操作模式：Fundamental
- 频率容差：±10ppm
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：32mOhm @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：683 pF @ 50 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.9 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
- 座位高度(最大)：0.031 (0.80mm)
- 评级结果：-
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