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单MOSFET晶体管 / APT38F50J
- 价格 起订量
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- 型号： APT38F50J
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-227-4, miniBLOC
- 描述： MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 15
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SOT-227-4, miniBLOC
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：ISOTOP®
- Manufacturer：ABB
- Package：Tube
- Base Product Number：APT38F50
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：38A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：355W (Tc)
- Product Status：活跃
- Pd - Power Dissipation：355 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：1.058219 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：螺钉安装
- Brand：微芯片技术
- Rds On - Drain-Source Resistance：100 mOhms
- RoHS：Details
- Id - Continuous Drain Current：38 A
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：100 ns
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：POWER MOS 8™
- 包装：Tube
- 类型：MOSFET
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 最大功率耗散：355 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 功率耗散：355 W
- 接通延迟时间：38 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：100mOhm @ 28A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8800 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：220 nC @ 10 V
- 上升时间：45 ns
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 连续放电电流(ID)：38 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 输入电容：8.8 nF
- 场效应管特性：-
- 最大rds：100 mΩ
- 产品：功率MOSFET模块
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 辐射硬化：无
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