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单MOSFET晶体管 / HUF76419D3ST
- 价格 起订量
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- 型号： HUF76419D3ST
- 厂商： Fairchild
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
- 库存地点： 内地
- 库存： 735
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Panel Mount, Through Hole
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：TO-252, (D-Pak)
- 介电材料：Polycyclohexylenedimethylene Terephthalate (PCT)
- 外壳材料，完成：Steel, Tin-Nickel Plated
- Voltage, Rating：-
- Package：Bulk
- Base Product Number：DBMM
- 厂商：ITT Cannon, LLC
- Product Status：活跃
- Contact Materials：Copper Alloy
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：75W (Tc)
- 操作温度：-55°C ~ 150°C
- 系列：24308-Style, Combo D®, D*MM
- 终端：Solder
- 连接器类型：Receptacle, Female Sockets
- 定位的数量：5 (Power)
- 颜色：Black
- 行数：1
- 触点类型：Power
- 额定电流：40A
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 入口保护：-
- 触点表面处理：Gold
- 线规：-
- 法兰特性：Mating Side, Female Screwlock (4-40)
- 连接器样式：D-Sub, Combo
- 触点形式：Machined
- 外壳尺寸，连接器布局：3 (DB, B) - 5W5
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：37mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：900 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：27.5 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：60 V
- Vgs（最大值）：±16V
- 后退间距：-
- 场效应管特性：-
- 特征：Board Lock, Shielded
- 触点表面处理厚度：50.0µin (1.27µm)
- 材料可燃性等级：UL94 V-0
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