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单MOSFET晶体管 / IRFF9132
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- 型号： IRFF9132
- 厂商： Intersil
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 54-BSSOP (0.295, 7.50mm Width)
- 描述： Power Field-effect Transistor, 5.5A I(d), 100V, 0.4 Ohm, 1-ELEMENT, P-channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor...
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
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总额￥ 0.00000
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：54-BSSOP (0.295, 7.50mm Width)
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：54-SOIC
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of I/Os：16
- RoHS：Non-Compliant
- Drain Current-Max (ID)：5.5 A
- Risk Rank：5.39
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Part Life Cycle Code：活跃
- Number of Elements：1
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer Part Number：IRFF9132
- Rohs Code：无
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Package Body Material：METAL
- Moisture Sensitivity Levels：未说明
- Package Style：CYLINDRICAL
- 操作温度：-40°C ~ 85°C
- 系列：--
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：Obsolete
- 端子表面处理：锡铅
- 应用：汽车后视镜控制
- 电压 - 供电 ：5.5 V ~ 18 V
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 基本部件号：MM908E624
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 界面：SCI, SPI
- 内存大小：512 x 8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 核心处理器：HC08
- 箱体转运：DRAIN
- 程序存储器类型：FLASH (16 kB)
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-205AF
- 漏极-源极导通最大电阻：0.4 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：22 A
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 雪崩能量等级（Eas）：500 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 控制器系列：908E
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