图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / RJK0236DPA-00#J5A

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: RJK0236DPA-00#J5A
  • 厂商: RENESAS(瑞萨/IDT)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: 8-WFDFN Exposed Pad
  • 描述: MOSFET N-CH 25V 50A 8DFN
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 13240
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-WFDFN Exposed Pad
  • 底架:表面贴装
  • 供应商器件包装:8-DFN (5x6)
  • Package:Bulk
  • 厂商:PEI-Genesis
  • Product Status:活跃
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:50A (Ta)
  • Power Dissipation (Max):50W (Tc)
  • RoHS:Compliant
  • 系列:*
  • 操作温度:150°C (TJ)
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 最大功率耗散:50 W
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:1.8mOhm @ 25A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:6130 pF @ 10 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:31 nC @ 4.5 V
  • 漏源电压 (Vdss):25 V
  • 连续放电电流(ID):50 A
  • 输入电容:6.13 nF
  • 场效应管特性:-
  • 最大rds:1.8 mΩ

采购询价