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IGBT晶体管模块 / APTGT150DA120G
- 价格 起订量
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- 型号： APTGT150DA120G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 220A 5-Pin Case SP6
- 库存地点： 内地
- 库存： 2706
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：5
- 供应商器件包装：SP6
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：SG-8101
- 厂商：EPSON
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：220 A
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2 kV
- RoHS：Compliant
- Unit Weight：3.880136 oz
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- 操作温度：-40°C ~ 105°C
- 系列：SG-8101
- 包装：Tube
- 尺寸/尺寸：0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
- 类型：XO (Standard)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 子类别：IGBTs
- 最大功率耗散：690 W
- 电压 - 供电 ：1.8V ~ 3.3V
- 频率：50.3067 MHz
- 频率稳定性：±20ppm
- 输出量：CMOS
- 功能：Enable/Disable
- 基本谐振器：Crystal
- 最大电流源：6.8mA (Typ)
- 电流 - 电源（禁用）（最大值）：3.5mA
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 扩频带宽：-
- 功率 - 最大：690 W
- 输入：Standard
- 产品类别：IGBT晶体管
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2 kV
- 最大集电极电流：220 A
- 最大集极截止电流：350 µA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 输入电容：10.7 nF
- 绝对牵引范围 (APR)：-
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V, 150A
- 连续集电极电流：220
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：无
- 输入电容(Cies)@Vce：10.7 nF @ 25 V
- 产品类别：IGBT晶体管
- 座位高度(最大)：0.055 (1.40mm)
- 评级结果：-
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