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IGBT晶体管模块 / FMG1G200US60H
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FMG1G200US60H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装：
- 描述： Igbt, 200A, 600V, N-channel
- 库存地点： 内地
- 库存： 59
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- 厂商：PEI-Genesis
- Product Status：活跃
- RoHS：Non-Compliant
- Package Description：7PM-HA, 7 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Turn-on Time-Nom (ton)：330 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：410 ns
- Manufacturer Part Number：FMG1G200US60H
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.73
- 系列：*
- 端子表面处理：未说明
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：7
- JESD-30代码：R-XUFM-X7
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 元素配置：Single
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极发射器电压(VCEO)：600 V
- 集电极电流-最大值(IC)：200 A
- 集电极-发射器电压-最大值：600 V
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