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IGBT晶体管模块 / APTGT100A60T1G
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: APTGT100A60T1G
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: IGBT晶体管模块
- 封装: SP1
- 描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 12-Pin Case SP1
- 库存地点: 内地
- 库存: 50
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:Production (Last Updated: 1 month ago)
- 底架:Chassis Mount, Screw
- 安装类型:底座安装
- 包装/外壳:SP1
- 引脚数:12
- 供应商器件包装:SP1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V
- RoHS:Compliant
- Package:Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max):150 A
- Base Product Number:APTGT100
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- 操作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
- 系列:-
- 最高工作温度:175 °C
- 最小工作温度:-40 °C
- 最大功率耗散:340 W
- 配置:半桥
- 元素配置:Dual
- 功率 - 最大:340 W
- 输入:Standard
- 集电极发射器电压(VCEO):600 V
- 最大集电极电流:150 A
- 最大集极截止电流:250 µA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 输入电容:6.1 nF
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V, 100A
- 连续集电极电流:150
- IGBT类型:沟渠现场停车
- NTC热敏电阻:有
- 输入电容(Cies)@Vce:6.1 nF @ 25 V
- 辐射硬化:无
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