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IGBT晶体管模块 / FMM7G30US60N
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： FMM7G30US60N
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装：
- 描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
- 库存地点： 内地
- 库存： 46
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：24
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- 厂商：PEI-Genesis
- Product Status：活跃
- Package Description：24PM-AA, 24 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Risk Rank：5.66
- Ihs Manufacturer：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Number of Elements：7
- Manufacturer：Fairchild Semiconductor Corporation
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer Part Number：FMM7G30US60N
- Rohs Code：有
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Turn-off Time-Nom (toff)：350 ns
- Turn-on Time-Nom (ton)：190 ns
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- 系列：*
- 附加功能：低导通损耗
- 子类别：绝缘栅BIP晶体管
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：24
- JESD-30代码：R-XUFM-T24
- 资历状况：不合格
- 配置：COMPLEX
- 箱体转运：ISOLATED
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大耗散功率(Abs)：104 W
- 集电极电流-最大值(IC)：30 A
- 集电极-发射器电压-最大值：600 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- VCEsat-最大值：2.7 V
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