单MOSFET晶体管 / STW68N65DM6

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型号： STW68N65DM6
厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
类别：单MOSFET晶体管
封装： Radial
描述： Transistor MOSFET N-Channel 650V 48A 3-Pin TO-247 Tube
库存地点：内地
库存： 48
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：通孔
包装/外壳：Radial
供应商器件包装：TO-247-3
介电材料：Polypropylene (PP), Metallized
Lead Free Status / RoHS Status：--
Voltage Rating DC：--
Voltage Rating AC：310V
Continuous Drain Current Id：55
Package：Bulk
Base Product Number：STW68
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
厂商：STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)：431W (Tc)
Product Status：活跃
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
Typical Turn-On Delay Time：25 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4.75 V
Pd - Power Dissipation：330 W
Transistor Polarity：N-Channel
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage：- 25 V, + 25 V
Unit Weight：0.211644 oz
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：600
Mounting Styles：通孔
Channel Mode：Enhancement
Manufacturer：STMicroelectronics
Brand：STMicroelectronics
Qg - Gate Charge：80 nC
Tradename：MDmesh
Rds On - Drain-Source Resistance：59 mOhms
RoHS：Details
Typical Turn-Off Delay Time：76 ns
Id - Continuous Drain Current：48 A
操作温度：-40°C ~ 110°C
系列：MKP
包装：Bulk
尺寸/尺寸：0.394 L x 0.197 W (10.00mm x 5.00mm)
容差：±10%
零件状态：活跃
湿度敏感性等级(MSL)：--
终端：PC引脚
应用：EMI, RFI Suppression
电容量：0.03µF
子类别：MOSFETs
技术：MOSFET (Metal Oxide)
引线间距：0.295 (7.50mm)
通道数量：1 Channel
功率耗散：431
场效应管类型：N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs：59mOhm @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3528 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80 nC @ 10 V
上升时间：32 ns
漏源电压 (Vdss)：650 V
Vgs（最大值）：±25V
产品类别：MOSFET
晶体管类型：1 N-Channel
场效应管特性：-
特征：--
产品类别：MOSFET
座位高度(最大)：0.406 (10.30mm)
评级结果：X2