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单MOSFET晶体管 / DMTH15H017SPSW-13
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: DMTH15H017SPSW-13
- 厂商: DIODES(美台)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: Axial, Box
- 描述: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
- 库存地点: 内地
- 库存: 18
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳:Axial, Box
- 安装类型:Surface Mount, Wettable Flank
- 越来越多的功能:Flanges
- 供应商器件包装:PowerDI5060-8 (Type UX)
- Package:Bulk
- Base Product Number:DMTH15
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:11A (Ta), 61A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
- 厂商:Diodes Incorporated
- Power Dissipation (Max):1.5W (Ta), 107W (Tc)
- Product Status:活跃
- Package Type:PowerDI5060-8
- Brand:Diodes Incorporated
- Manufacturer:Diodes Incorporated
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:2500
- 操作温度:-55°C ~ 250°C
- 系列:Military, MIL-PRF-39009, RER50
- 包装:Bulk
- 尺寸/尺寸:1.062 L x 1.080 W (26.97mm x 27.43mm)
- 容差:±1%
- 零件状态:活跃
- 温度系数:±20ppm/°C
- 电阻:51.1 Ohms
- 组成:Wirewound
- 功率(瓦特):20W
- 子类别:MOSFETs
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- 失败率:R (0.01%)
- 引线样式:焊片
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:19mOhm @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2344 pF @ 75 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:34 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss):150 V
- Vgs(最大值):±20V
- 产品类别:MOSFET
- 涂层/外壳类型:Aluminum
- 信道型:N
- 场效应管特性:-
- 特征:Military, Moisture Resistant, Non-Inductive
- 产品类别:MOSFET
- 座位高度(最大):0.561 (14.25mm)
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