简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMTH10H038SPDWQ-13
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： DMTH10H038SPDWQ-13
- 厂商： DIODES(美台)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： Axial, Box
- 描述： Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 100V 25A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：Axial, Box
- 安装类型：表面贴装
- 越来越多的功能：Flanges
- 供应商器件包装：PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Package：Bulk
- Base Product Number：DMTH10
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A (Tc)
- 厂商：Diodes Incorporated
- Product Status：活跃
- Package Type：PowerDI5060-8
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- 操作温度：-55°C ~ 250°C
- 系列：Military, MIL-PRF-39009, RER70
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：1.062 L x 1.080 W (26.97mm x 27.43mm)
- 容差：±1%
- 零件状态：活跃
- 温度系数：±20ppm/°C
- 电阻：1.62 kOhms
- 组成：Wirewound
- 功率(瓦特)：20W
- 子类别：MOSFETs
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 失败率：R (0.01%)
- 配置：2 N-Channel
- 引线样式：焊片
- 功率 - 最大：2.7W (Ta), 39W (Tc)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：33mOhm @ 10A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：544pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 产品类别：MOSFET
- 涂层/外壳类型：Aluminum
- 信道型：N
- 场效应管特性：Standard
- 特征：Military, Moisture Resistant
- 产品类别：MOSFET
- 座位高度(最大)：0.561 (14.25mm)
相关产品
