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单MOSFET晶体管 / NTH4L025N065SC1
- 价格 起订量
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- 型号： NTH4L025N065SC1
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-4
- 描述： Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
- 库存地点： 内地
- 库存： 2520
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-4
- 供应商器件包装：TO-247-4L
- 质量：0.2 lb (90.72g)
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：99A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：15V, 18V
- 厂商：onsemi
- Power Dissipation (Max)：348W (Tc)
- Product Status：活跃
- Package Type：TO247-4L
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4.3 V
- Pd - Power Dissipation：348 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 8 V, + 22 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：通孔
- Channel Mode：Enhancement
- Qg - Gate Charge：164 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：28.5 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：99 A
- 系列：Xcelite®
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 零件状态：Obsolete
- 技术：SiCFET (Silicon Carbide)
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：28.5mOhm @ 45A, 18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 15.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3480 pF @ 15 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：164 nC @ 18 V
- 大小：3/16
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：+22V, -8V
- 工具类型：Screwdriver
- 尖头-类型：Slotted
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
- 特征：镀铬表面处理
- 长度 - 整体：7.63 (193.8mm)
- 长度 - 刀片：4.00 (101.6mm)
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