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单MOSFET晶体管 / STD10N60M6
- 价格 起订量
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- 型号： STD10N60M6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Transistor MOSFET N-Channel 600V 6.4A 3-Pin D2PAK T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 19354
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Through Hole, Right Angle
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：D-PAK (TO-252)
- 房屋材料：Polyamide (PA9T), Nylon 9T
- 外壳材料，完成：Steel, Nickel Plated
- Lead Free Status / RoHS Status：--
- Voltage, Rating：125V
- Contact Materials：磷青铜
- Continuous Drain Current Id：6.4
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Manufacturer：STMicroelectronics
- Brand：STMicroelectronics
- Tradename：MDmesh
- RoHS：Details
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：STD10
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：STMicroelectronics
- Power Dissipation (Max)：60W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 105°C
- 系列：AMPLIMITE HD-22
- 包装：Tray
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：--
- 终端：Solder
- 连接器类型：Receptacle, Female Sockets
- 定位的数量：15
- 颜色：Black
- 行数：3
- 子类别：MOSFETs
- 触点类型：Signal
- 技术：Si
- 入口保护：--
- 额定电流：2A
- 触点表面处理：Gold
- 线规：--
- 法兰特性：Housing/Shell (4-40)
- 连接器样式：D-Sub, High Density
- 功率耗散：60
- 触点形式：--
- 外壳尺寸，连接器布局：1 (DE, E) High Density
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：600mOhm @ 3.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：338 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.8 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 产品类别：MOSFET
- 信道型：N通道
- 后退间距：0.350 (8.89mm)
- 场效应管特性：-
- 特征：--
- 产品类别：MOSFET
- 触点表面处理厚度：30.0µin (0.76µm)
- 材料可燃性等级：UL94 V-0
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