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MOSFETs 晶体管阵列 / APTC60TAM35PG

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  • 型号: APTC60TAM35PG
  • 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装: SP6
  • 描述: Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 72A 21-Pin Case SP6-P
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2307
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
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付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:底座安装
  • 包装/外壳:SP6
  • 引脚数:4
  • 供应商器件包装:SP6-P
  • RoHS:Compliant
  • Continuous Drain Current Id:72
  • Package:Bulk
  • Base Product Number:APTC60
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:72A
  • 厂商:微芯片技术
  • Product Status:活跃
  • Number of Elements:6
  • Turn Off Delay Time:283 ns
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
  • Manufacturer:Microchip
  • Brand:微芯片技术
  • 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:-
  • 包装:Tube
  • 最高工作温度:85 °C
  • 最小工作温度:-40 °C
  • 子类别:Discrete Semiconductor Modules
  • 最大功率耗散:416 W
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 频率稳定性:50 ppm
  • 配置:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • 最大电源电压:3.465 V
  • 最小电源电压:3.135 V
  • 负载电容:15 pF
  • 功率耗散:416 W
  • 接通延迟时间:21 ns
  • 功率 - 最大:416W
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:35mOhm @ 72A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:14000pF @ 25V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:518nC @ 10V
  • 上升时间:30 ns
  • 漏源电压 (Vdss):600V
  • 产品类别:Discrete Semiconductor Modules
  • 连续放电电流(ID):72 A
  • 栅极至源极电压(Vgs):20 V
  • 输入电容:14 nF
  • 信道型:Dual N
  • 场效应管特性:-
  • 最大rds:35 mΩ
  • 产品类别:Discrete Semiconductor Modules
  • 宽度:5 mm
  • 高度:1.4 mm
  • 长度:7 mm

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