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MOSFETs 晶体管阵列 / APTC60TAM35PG
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: APTC60TAM35PG
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: SP6
- 描述: Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 72A 21-Pin Case SP6-P
- 库存地点: 内地
- 库存: 2307
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:Production (Last Updated: 2 months ago)
- 底架:表面贴装
- 安装类型:底座安装
- 包装/外壳:SP6
- 引脚数:4
- 供应商器件包装:SP6-P
- RoHS:Compliant
- Continuous Drain Current Id:72
- Package:Bulk
- Base Product Number:APTC60
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:72A
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Number of Elements:6
- Turn Off Delay Time:283 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Manufacturer:Microchip
- Brand:微芯片技术
- 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:-
- 包装:Tube
- 最高工作温度:85 °C
- 最小工作温度:-40 °C
- 子类别:Discrete Semiconductor Modules
- 最大功率耗散:416 W
- 技术:MOSFET (Metal Oxide)
- 频率稳定性:50 ppm
- 配置:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- 最大电源电压:3.465 V
- 最小电源电压:3.135 V
- 负载电容:15 pF
- 功率耗散:416 W
- 接通延迟时间:21 ns
- 功率 - 最大:416W
- Rds On(Max)@Id,Vgs:35mOhm @ 72A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:14000pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:518nC @ 10V
- 上升时间:30 ns
- 漏源电压 (Vdss):600V
- 产品类别:Discrete Semiconductor Modules
- 连续放电电流(ID):72 A
- 栅极至源极电压(Vgs):20 V
- 输入电容:14 nF
- 信道型:Dual N
- 场效应管特性:-
- 最大rds:35 mΩ
- 产品类别:Discrete Semiconductor Modules
- 宽度:5 mm
- 高度:1.4 mm
- 长度:7 mm
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