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MOSFETs 晶体管阵列 / BSZ0908NDXTMA2
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- 型号： BSZ0908NDXTMA2
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 4-SMD, No Lead
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：4-SMD, No Lead
- 供应商器件包装：PG-WISON-8
- Package：Bulk
- 厂商：Suntsu Electronics, Inc.
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.8A (Ta), 7.6A (Ta)
- 操作温度：-10°C ~ 70°C
- 系列：SXT324
- 尺寸/尺寸：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
- 类型：兆赫晶体
- 频率：24 MHz
- 频率稳定性：±20ppm
- ESR（等效串联电阻）：50 Ohms
- 负载电容：8pF
- 操作模式：Fundamental
- 频率容差：±15ppm
- 功率 - 最大：700mW (Ta), 860mW (Ta)
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：340pF @ 15V, 730pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 座位高度(最大)：0.031 (0.80mm)
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