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MOSFETs 晶体管阵列 / APTC60HM70BT3G
- 价格 起订量
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- 型号： APTC60HM70BT3G
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： Radial, Can - Screw Terminals
- 描述： Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 39A 22-Pin Case SP-3F
- 库存地点： 内地
- 库存： 2605
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Radial, Can - Screw Terminals
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 引脚数：22
- 供应商器件包装：SP3
- 表面贴装的焊盘尺寸：--
- Lead Free Status / RoHS Status：--
- Voltage Rated：350V
- Lifetime @ Temp.：1000 Hrs @ 85°C
- Continuous Drain Current Id：39
- Package：Tray
- Base Product Number：APTC60
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：39A
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- RoHS：Details
- Number of Elements：5
- Turn Off Delay Time：283 ns
- 操作温度：-40°C ~ 85°C
- 系列：36DX
- 包装：Bulk
- 尺寸/尺寸：1.453 Dia (36.90mm)
- 容差：-10%, +50%
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：--
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-40 °C
- 应用：通用型
- 电容量：470µF
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 最大功率耗散：250 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- ESR（等效串联电阻）：--
- 引线间距：0.500 (12.70mm)
- 配置：4 N-Channel (Half Bridge)
- 极化：Polar
- 功率耗散：250 W
- 接通延迟时间：21 ns
- 功率 - 最大：250W
- Rds On(Max)@Id,Vgs：70mOhm @ 39A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 2.7mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：700pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：259nC @ 10V
- 上升时间：30 ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 连续放电电流(ID)：39 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 输入电容：700 pF
- 信道型：Dual N
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 最大rds：70 mΩ
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 座位高度(最大)：4.252 (108.00mm)
- 辐射硬化：无
- 评级结果：--
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