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MOSFETs 晶体管阵列 / APTC80AM75SCG
- 价格 起订量
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- 型号： APTC80AM75SCG
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SP6
- 描述： Trans MOSFET Array Dual N-CH 800V 56A 7-Pin Case SP6
- 库存地点： 内地
- 库存： 2849
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Footed
- 包装/外壳：SP6
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：SP6
- 终端数量：7
- 晶体管元件材料：SILICON
- Enclosure：Open
- Manufacturer Part Number：GT0477
- Manufacturer：Marathon Electric
- Continuous Drain Current Id：56
- Package：Bulk
- Base Product Number：APTC80
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：56A
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Brand：微芯片技术
- RoHS：Details
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Package Shape：RECTANGULAR
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.21
- Drain Current-Max (ID)：56 A
- 操作温度：-40°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 包装：Tube
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：Pump
- 端子表面处理：锡银铜
- 组成：轧钢
- 附加功能：雪崩 额定
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：7
- JESD-30代码：R-XUFM-X7
- 资历状况：不合格
- 配置：2 N-Channel (Half Bridge)
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 功率 - 最大：568W
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：75mOhm @ 28A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 4mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9015pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：364nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：800V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 转速/转速：1,780 RPM
- 漏极-源极导通最大电阻：0.075 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：232 A
- DS 击穿电压-最小值：800 V
- 信道型：Dual N
- 雪崩能量等级（Eas）：670 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 相位：3
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