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单MOSFET晶体管 / IRFD110
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IRFD110
- 厂商： HARRIS(哈利斯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 4-DIP (0.300, 7.62mm)
- 描述： 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
- 库存地点： 内地
- 库存： 767
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：Socket
- 包装/外壳：4-DIP (0.300, 7.62mm)
- 供应商器件包装：4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Lead Free Status / RoHS Status：--
- Package：Bulk
- Base Product Number：IRFD110
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Harris Corporation
- Power Dissipation (Max)：1.3W (Ta)
- Product Status：活跃
- 包装：Bulk
- 系列：MultiModem® ISI
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：--
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 电压 - 供电 ：3.3V, 5V
- 界面：--
- 数据率：56K
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：540mOhm @ 600mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：180 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.3 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：100 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
- 数据格式：V.34, V.92
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