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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF5210SHR
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IRF5210SHR
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Automotive：无
- PPAP：无
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：100
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：60@10V
- Maximum Power Dissipation (mW)：3800
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：IRF5210SHR
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：5.68
- Drain Current-Max (ID)：40 A
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：Obsolete
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- 附加功能：HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：225
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.06 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：140 A
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 信道型：P
- 雪崩能量等级（Eas）：780 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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