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MOSFETs 晶体管阵列 / IXFM12N100
- 价格 起订量
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- 型号： IXFM12N100
- 厂商： IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 材料：Si
- EU RoHS：Compliant
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：HDMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：1000
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：12
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：1050@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：122@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：122
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：4000@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：300000
- Typical Fall Time (ns)：32
- Typical Rise Time (ns)：33
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：62
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：21
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：通孔
- Package Height：11.4(Max)
- Package Width：26.66
- Package Length：30.15 + 9.54(Max)
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Supplier Package：TO-204AA
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：62 ns
- 零件状态：Obsolete
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300 W
- 上升时间：33 ns
- 连续放电电流(ID)：12 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏源击穿电压：1 kV
- 信道型：N
- 漏源电阻：1.05 Ω
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