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MOSFETs 晶体管阵列 / SSM6J212FE(TE85L,F
- 价格 起订量
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- 型号： SSM6J212FE(TE85L,F
- 厂商： TOSHIBA(东芝)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：6
- 材料：Si
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：小信号
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：20
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±8
- Maximum Continuous Drain Current (A)：4
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：40.7@4.5V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：14.1@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：14.1
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：970@10V
- Maximum Power Dissipation (mW)：700
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Width：1.2
- Package Length：1.6
- PCB changed：6
- Supplier Package：ES
- Lead Shape：Flat
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：500 mW
- 引脚数量：6
- 配置：单四排液
- 功率耗散：700 mW
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- 连续放电电流(ID)：4 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8 V
- 输入电容：970 pF
- 信道型：P
- 最大rds：40.7 mΩ
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