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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / AUIRF2805STRL
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： AUIRF2805STRL
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 材料：Si
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Automotive：有
- PPAP：Unknown
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：HEXFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：55
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Gate Threshold Voltage (V)：4
- Maximum Continuous Drain Current (A)：135
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：4.7@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：150@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：150
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：5110@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：200000
- Typical Fall Time (ns)：110
- Typical Rise Time (ns)：120
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：68
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：14
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：175
- Supplier Temperature Grade：汽车
- Mounting：表面贴装
- Package Height：4.83(Max)
- Package Width：9.65(Max)
- Package Length：10.67(Max)
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Standard Package Name：TO-263
- Supplier Package：D2PAK
- Lead Shape：Gull-wing
- Continuous Drain Current Id：135
- Package Description：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：AUIRF2805STRL
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：International Rectifier
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Risk Rank：5.15
- Part Package Code：D2PAK
- Drain Current-Max (ID)：75 A
- 包装：卷带
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 零件状态：Obsolete
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：镍外哑光锡
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：200
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-263AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：135 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0047 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：700 A
- DS 击穿电压-最小值：55 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：380 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：200 W
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