简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / BSC079N03SGXT
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BSC079N03SGXT
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：OptiMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：30
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Continuous Drain Current (A)：14.6
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：7.9@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：13@5V
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：1680@15V
- Maximum Power Dissipation (mW)：2800
- Lead Shape：No Lead
- Supplier Package：TDSON EP
- Standard Package Name：SON
- PCB changed：8
- Package Length：5.15
- Package Width：5.9
- Package Height：1
- Mounting：表面贴装
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：5.1
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：21
- Typical Rise Time (ns)：4.2
- Typical Fall Time (ns)：3.4
- Number of Elements：1
- Voltage Rating (DC)：30 V
- RoHS：Compliant
- 包装：卷带
- 零件状态：Obsolete
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 额定电流：40 A
- 引脚数量：8
- 配置：单四漏三源
- 功率耗散：2.8 W
- 上升时间：4.2 ns
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- 连续放电电流(ID)：14.6 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 输入电容：1.68 nF
- 信道型：N
- 无铅：无铅
相关产品
