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MOSFETs 晶体管阵列 / MMD60R580PBRH
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： MMD60R580PBRH
- 厂商： MagnaChip
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8541.29.00.95
- Automotive：Unknown
- PPAP：Unknown
- Category：功率MOSFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：600
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±30
- Maximum Continuous Drain Current (A)：8
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：580@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：18@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：18
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：575@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：70000
- Typical Fall Time (ns)：25
- Typical Rise Time (ns)：34
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：48
- Supplier Package：DPAK
- Tab：Tab
- PCB changed：2
- Package Length：6.73(Max)
- Package Width：6.1
- Package Height：2.39(Max)
- Mounting：表面贴装
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：14
- Continuous Drain Current：8(A)
- Drain-Source On-Volt：600(V)
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：DPAK
- Operating Temp Range：-55C to 150C
- Gate-Source Voltage (Max)：±30(V)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- RoHS：Non-Compliant
- Package Description：,
- Manufacturer Part Number：MMD60R580PBRH
- Manufacturer：MagnaChip Semiconductor Ltd
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
- Risk Rank：1.5
- 包装：卷带
- 零件状态：活跃
- 类型：功率MOSFET
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- 极性：N
- 配置：Single
- 功率耗散：70(W)
- 信道型：N
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