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MOSFETs 晶体管阵列 / JANTX2N6768
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： JANTX2N6768
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 1827
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- 底架：通孔
- 表面安装：NO
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- Lead Shape：通孔
- Supplier Package：TO-3
- Tab：Tab
- PCB changed：2
- Package Length：39.37(Max)
- Package Width：25.53(Max)
- Package Height：7.74(Max)
- Mounting：通孔
- Supplier Temperature Grade：Military
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：35(Max)
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：170(Max)
- Typical Rise Time (ns)：190(Max)
- Typical Fall Time (ns)：130(Max)
- Maximum Power Dissipation (mW)：150000
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：110(Max)
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：110(Max)@10V
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：400@10V
- Maximum Continuous Drain Current (A)：14
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±20
- Maximum Drain Source Voltage (V)：400
- Number of Elements per Chip：1
- Channel Mode：Enhancement
- Category：功率MOSFET
- PPAP：无
- Automotive：无
- HTS：8541.29.00.95
- ECCN (US)：EAR99
- EU RoHS：不合规
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JANTX2N6768
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：7.69
- Part Package Code：TO-3
- Drain Current-Max (ID)：14 A
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：活跃
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：PIN/PEG
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：3
- 参考标准：MIL-19500
- JESD-30代码：O-MBFM-P2
- 资历状况：Qualified
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：150 W
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 漏源电压 (Vdss)：400 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：9 A
- JEDEC-95代码：TO-204AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.3 Ω
- 漏源击穿电压：400 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：56 A
- DS 击穿电压-最小值：400 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：700 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：300 mΩ
- 通态电阻：300 mΩ
- 辐射硬化：无
- 无铅：含铅
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