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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFR320BTM
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IRFR320BTM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：2
- 晶体管元件材料：SILICON
- EU RoHS：符合免除
- ECCN (US)：EAR99
- HTS：8542.31.00.01
- SVHC：有
- SVHC Exceeds Threshold：有
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：DMOS
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：400
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±30
- Maximum Continuous Drain Current (A)：3.1
- Maximum Drain Source Resistance (MOhm)：1750@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：14@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：14
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：460@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：2500
- Typical Fall Time (ns)：35
- Typical Rise Time (ns)：35
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：35
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：10
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：表面贴装
- Package Height：2.39(Max)
- Package Width：6.22(Max)
- Package Length：6.73(Max)
- PCB changed：2
- Tab：Tab
- Standard Package Name：TO-252
- Supplier Package：DPAK
- Package Description：DPAK-3
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IRFR320BTM
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.12
- Part Package Code：TO-252
- Drain Current-Max (ID)：3.1 A
- 包装：卷带
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 零件状态：Obsolete
- 端子表面处理：哑光锡
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-252
- 漏极-源极导通最大电阻：1.75 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：12.4 A
- DS 击穿电压-最小值：400 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：240 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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